国有资产管理处教室投影机、幕布(WSJJ20250073)网上竞价采购公告

延期理由：

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至**** 19:00

项目名称

氮化硅LPCVD流片

项目编号

****

公告开始日期

**** 17:17:58

公告截止日期

**** 19:00:00

采购单位

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付款方式

货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额

联系人

成交后在我参与的项目中查看

联系电话

成交后在我参与的项目中查看

签约时间要求

成交后3个工作日内

到货时间要求

预算总价

￥ 360,000.00

收货地址

供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

公告说明

由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至**** 19:00

采购商品

采购数量

计量单位

所属分类

氮化硅LPCVD流片

6

张

电子、通信与自动控制技术研究服务

预算单价

￥ 60,000.00

技术参数及配置要求

1. LPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD线宽控制：200±20 nm；Si3N4侧壁角度：＞86°。
2. 在400 nm Si3N4上进行刻蚀，刻蚀深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm
3. Si3N4上进行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保证SiO2填充完整。
4. TiN方块电阻中心和边缘的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。
5. Si3N4单模波导（1μm宽度）传输损耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。
6. 端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。
7. 1*2MMI（c波段）：损耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。
8. crossing（c波段）：损耗≈0.2dB。

售后服务

电话支持: 5x8小时;服务时限:报修后48小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;