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中国科学院上海技术物理研究所深低温低噪声面阵读出电路芯片招标预告(原标题: 4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片)
全部类型上海2026年04月10日
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点击登录查看2026年4至12月政府采购意向-4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 详细情况
| 4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 | |
| 项目所在采购意向： | 点击登录查看2026年4至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 点击登录查看 |
| 采购项目名称： | 4-10K深低温低噪声面阵读出电路芯片 |
| 预算金额： | 178.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | C****物理学的研究和试验开发服务 |
| 采购需求概况 ： | 功能和目标：对中远红外光敏芯片的微弱信号进行读出。 项目说明：读出电路芯片需满足如下技术要求：工作温度范围：4-10K；像元规模：大于等于512×512；像元中心距：30μm；功耗：小于等于100mW；满阱容量：大于等于100ke-；读出噪声：小于等于150e-；读出速率：大于等于10kHz。读出电路流片工艺节点：0.18μm。 |
| 预计采购时间： | 2026-05 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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